Описываются оригинальные конструкции и физические принципы работы экономичных гальваномагнитных полупроводниковых приборов на основе однопереходных, биполярных и полевых магнитотранзисторов, которые могут быть использованы в качестве высокоэкономичных детекторов в цифровых сенсорных сетях. Приводятся основные теоретические соотношения, определяющие зависимость их параметров от магнитного поля. Рассмотрены области их применения: в исполнительных устройствах в качестве управляемых магнитным полем переключателей; в качестве аналоговых магнитоизмерительных приборов, ток или напряжение которых зависят от напряженности магнитного поля; в качестве сенсоров магнитного поля непосредственно с частотным выходом, не требующих дополнительных АЦП при сопряжении с цифровыми сетями. Приведены результаты исследования влияния ионизирующего облучения на каждый тип магнитоприборов и описаны методы компенсации этого влияния.

Для инженерно-технических работников, связанных с конструированием и эксплуатацией полупроводниковых сенсоров для цифровых сетей, аспирантов и студентов вузов.